面对内存种类的更新换代， KINGXCON(金士刚)特别是对于这样专业的内存制造商，产品上不断追求探索，在强有力的研发制造的支持下，精益求精，从而不断的推出新产品。我们先来看一看金士刚DDR2内存的新技术:

　　由于在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输。在同等核心频率下，金士刚DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。在采用更低发热量、更低功耗的情况下，金士刚DDR2可以获得更快的频率提升。金士刚DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。金士刚DDR2内存采用1.8V电压，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量。

　　除了以上所说的区别外，金士刚DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形

　　Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生冲突。