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内存概述
存储器： 主存储器（主存）——内存 DRAM：系统内存 SRAM：L1 Cache和L2 Cache
辅助存储器（外存）——外存 指磁性介质或光盘，能长期保存信息
一、静态RAM（SRAM）：
主要特点：不需刷新；读写速度很快；电路元件多，生产成本高
结构：一个存储单元由4个晶体管和2个电阻组成
转换时间：≤20ns
工作原理：SRAM的基本结构采用一个双稳态电路，由于读、写的转换由写电路控制，所以只要电路不动作，电路有电，开关就保持现状，不刷新。
双稳态电路：如：高电平时，相当开关处于开状态，在读过程保持不变。
如：低电平时，相当开关处于关状态，在读过程其他电路不变。
二、动态RAM（DRAM）：
主要特点：需不断刷新，刷新过程不能读写数据；读写时间慢于SRAM；结构简单，集成度高，成本低。
结构：一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。
刷新时间：60～120ns
工作原理：DRAM是一个晶体管和一人小电容组成。晶体管通过小电容的电压来保持断开，接通状态。当小电容有电时，晶体管接通表示“1”；当小电路没电时，晶体管断开表示“0”，但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失，所以需不断的进行“刷新”
内存的基本知识
1、数据带宽
——指内存的数据传输速度，是衡量内存的重要指标。
例如：PC 100 SDRAM 外频100MHz时，传输率800MB/s
PC 133 SDRAM 外频133MHz时，传输率1.6GB/s
DDR DRAM 外频133MHz时，传输率2.1GB/s
2、时钟周期
——代表SDRAM所能运行的最大频率，该数字越小，SDRAM所能运行的频率就越高。
例如：PC 100 SDRAM 芯片上标识“-10”代表的运行时钟周期为10ns，即可在100MHz的外频下正常工作。
计算公式： 频率=1/周期
3、CAS延时时间
——指纵向地址脉冲的反应时间。
例如：SDRAM （100MHz外频下）都能运行在CL=2或CL=3模式下，也就说这时读取数据的延时时间可以是两个时钟周期或三个时钟周期。
4、存取时间
——大多数据SDRAM芯片的存取时间为5ns、6ns、7ns、8ns、10ns
对于内存的总延时时间，计算公式：
总延时时间=时钟周期×CAS延时时间+存取时间
5、SPD（电子可擦写编只读存储器）芯片
——它是一个8针的SOIC封装256字节的EEPROM芯片，该芯片位于内存条的正面的右侧，里面记录了内存的速度，容量、电压、行地址、列地址、带宽等参数。
内存条的编号识别
一、现代DDR内存编号
HY
XX
X
XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4:250MHZ、33 :300NHZ、L:DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A
二、Micron DDR内存编号
MT
XX
XX
XX X
XX XX XX XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表Micron的产品
2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针 8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封， F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA
8、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）
9、代表功耗：L=低耗，空白=普通
三、TOSHIBA DDR内存编号
TC
XX
X
XX
XX
X
XX X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、TC代表是东芝的产品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
7、代表封装：FT为TSO II封装
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
四、宇瞻DDR内存编号
W
XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
内存分类
1、EDO DRAM
EDO（Extended Data Output，扩展数据输出）DRAM
EDO读取方式:取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔,在把数据发送给CPU的同时去访问下一页面，从而提高了工作效率。
特点：
研发公司：Micron 工作电压：5V 线数：72线、168线 带宽：32位 速度：40ns
2、SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）同步动态内存
原理：将CPU和RAM通过一个相同的时钟信号锁定一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟，以相同的速度同步工作，每个一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据。
特点：
线数：168线 工作电压：3.3V 带宽：64位 速度：6ns
3、DDR SDRAM
DDR SDRAM（Double Rate SDRAM）双数据率SDRAM
原理：允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，不需提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
例如：PC 266 DDR SDRAM（实际外频133MHz）比PC133 SDRAM的带宽高出一倍，数据带宽达2.12GB/s
4、RamBus DRAM (简称：RDRAM）
RDRAM（Ram Bus DRAM，存储器总线式动态随机存储器）
原理：在单个时钟周期内上升和下降传输数据，工作频率400MHz，使用一条两字节带宽的通道，数据带宽达400×2×2=1.68GB/s
特点： 研发：RamBus 带宽：16位 RIMM接口：184线 工作电压：2.5V
市场上部分主流内存
一、GEIL 金邦
①金邦金条
②GL-2000千禧条
二、UNIKA 双敏
①小影霸Super 64A
②小影霸DDR 128MB(UNIKA)
③小影霸DDR 128MB(SAMSUNG)
三、Kingston 金士顿
①RAMBUS 内存条 256MB
②DDR 内存条 128MB
四、KINGMAX 胜创
①台式机内存：MPLB62D-68KX3 PC300 256MB
②笔记本内存：MSGC23S-38KX-MAA PC133 512MB
③服务器内存：MPHC23S-38KX3(sample) PC133 512MB
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