CPU的制作过程显非常复杂。以下简要说明CPU的制作流程：

1.切割晶圆

　　用机器从单晶硅上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核。

2.影印

　　在经过热处理得到硅氧化物层上涂上一种光阻物质，紫外线能过印制着CPU复印电路结构图样的查模板照射基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。

3.蚀刻

　　用溶剂将紫外线照射过的光阻物清除，然后再采用化学处理方式，把没有覆盖光阻物质部分的硅化物氧化物层刻掉。然后把所有的光阻物清除，就得到了有沟的硅基片。

4.分层

　　加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含晶硅和硅氧化物的沟槽结构。

5.离子注入

　　通过离子的轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，形成门路。然后的步骤就是不断重复以上的过程。

　　一个完整的CPU内核包含大约20层，层间留出窗口，填充金属以保持各层电路的连通。完成最后的测试工作后，切割硅片成单个CPU核心并进行封装，一个CPU便制造出来了。

　封装形式

　　封装－是指安装半导体集成电路中芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用。

　　芯片的封装技术已经历了好几代，从DIP、QFP、PGA、BGA、CSP、MCM，技术指标一代比一代先进，包括改芯片面积与封装面积之比越来越接近1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。

1.DIP封装（Dual In-line Package,双列直插封装）

　　20世纪70年代流行的是DIP封装，DIP封装结构具有以下特点：

　　1）适合PCB的穿孔安装

　　2）比TO型封装电报易于对PCB布线

　　3）操作方便。

　　DIP封装结构形式有：

　　多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP（玻璃陶瓷封装接式，塑料包装结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等

2.载体封装

　　20世纪80年代出现了芯片载体封装。其中有：

　　　陶瓷无引线芯片载体（LCCC，Leadless Ceramic Chip Carrier)

　　　塑料有引线芯片载体（PLCC，Plastic Leaded Chip Carrier)

　　　小尺寸封装（SOP，Small Outlne Package)

　　　塑料四边引出扁平封装（PQFP,Plasstic Quad Flat Package).

　　以0.5mm焊区中心距、208根I/O引脚QFP（Quad flat Package，四边引出扁平封装）封装的CPU。

　　QFP的特点：

　　1）用SMT表面安装技术在PCB上安装布线

　　2）封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用。

　　3）操作方便

　　4）可靠性高

3.BGA封装　（Ball Grid Array Package，球栅阵列封装）

　　20世纪90年代，随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用。新增了新的方式－球栅阵列封装。成了CPU、南北桥等VLSI芯片的选择。

　　BGA的特点：

　　1）I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率。

　　2）虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接。

　　3）厚度比QFP减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高。

　　4）寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高。

　　5）组装可用共面焊接，可靠性高。

　　6）BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大。

4.面向未来的封装技术

　　1994年9月，日本三菱电气三究出一种芯片面积/封装面积＝1：1.1的封装结构。其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。命名为：“芯片尺寸封装”，简称CSP（Chip Size Package或Chip Scale Package)

　　CSP封装具有的特点：　

　　1）满足了LSI芯片出脚不断增加的需要

　　2）解决了IC裸芯片不能进行交流参数测度和老化筛选的问题

　　3）封装面积缩小到BGA的1/4甚到1/10，延迟时间大大缩小

　　能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片或专用集成电路芯片在高密度多层互联基板上用表面安装技术（SMT）组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。因此产生多芯片组件MCM（Multi Chip Model)。

　　MCM的特点有：

　　1）封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。

　　2）缩小整机/组件组装尺寸和重量，一般体保减小1/4，重量减轻1/3

　　3）可造性大大提高。